INFINEON SPB16N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3ATMA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON SPB16N50C3ATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3 / N-Channel 560 V 16A Tc 160W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-CH
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Consumer Electronics, Power Management, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17