SE5230DR2G

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SE5230DR2G概述

NE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor

NE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,

电源电压范围 1.8 V 至 15 V

可调电源电流

低噪声

SA 等级:-40°C 至 +85°C

SE 等级:-40°C 至 +125°C

NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
### NE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor


艾睿:
Op Amp Single Low Voltage Amplifier ±7.5V/15V 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±7.5V/15V 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
SE5230 Series 1.8 - 15 V 0.25 V/us 600 kHz 32 mA Operational Amplifier - SOIC-8


Verical:
Op Amp Single Low Voltage Amplifier ±7.5V/15V 8-Pin SOIC N T/R


SE5230DR2G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 1.1 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.5 W

共模抑制比 85 dB

增益频宽积 600 kHz

输入补偿电压 400 µV

输入偏置电流 40 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 600 kHz

耗散功率Max 500 mW

共模抑制比Min 85 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SE5230DR2G引脚图与封装图
SE5230DR2G引脚图
SE5230DR2G封装图
SE5230DR2G封装焊盘图
在线购买SE5230DR2G
型号: SE5230DR2G
描述:NE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor 电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor
替代型号SE5230DR2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SE5230DR2G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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SA5230DR2

安森美

完全替代

SE5230DR2G和SA5230DR2的区别

SE5230DR2

安森美

完全替代

SE5230DR2G和SE5230DR2的区别

NE5230DR2

安森美

完全替代

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