SE5230DR2和SE5230DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SE5230DR2 SE5230DR2G NE5230DR2G

描述 低电压运算放大器 Low Voltage Operational AmplifierNE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON SemiconductorNE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 - 1 1

耗散功率 - 0.5 W 500 mW

共模抑制比 - 85 dB 85 dB

增益频宽积 600 kHz 600 kHz 600 kHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

工作温度(Max) - 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 600 kHz 600 kHz

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

共模抑制比(Min) - 85 dB 85 dB

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 1.8 V

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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