SE5230DG

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SE5230DG概述

低噪声运放

General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


艾睿:
OP Amp Single GP ±7.5V/15V 8-Pin SOIC N Rail


安富利:
OP Amp Single GP ±7.5V/15V 8-Pin SOIC N Rail


力源芯城:
低噪声运放


Win Source:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC / General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC


SE5230DG中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 1.1 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 500 mW

共模抑制比 85 dB

增益频宽积 600 kHz

输入补偿电压 400 µV

输入偏置电流 40 nA

增益带宽 600 kHz

耗散功率Max 500 mW

共模抑制比Min 85 dB

电源电压Max 15 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 4 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SE5230DG引脚图与封装图
SE5230DG引脚图
SE5230DG封装图
SE5230DG封装焊盘图
在线购买SE5230DG
型号: SE5230DG
描述:低噪声运放
替代型号SE5230DG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SE5230DG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NE5230DR2G

安森美

完全替代

SE5230DG和NE5230DR2G的区别

SE5230D

安森美

完全替代

SE5230DG和SE5230D的区别

SA5230D

安森美

完全替代

SE5230DG和SA5230D的区别

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