SE5230D和SE5230DG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SE5230D SE5230DG SA5230DR2G

描述 低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier低噪声运放SA 系列 0.25 V/us 18 V 表面贴装 低压运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 - 1 1

增益频宽积 600 kHz 600 kHz 600 kHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

增益带宽 - 600 kHz 0.6 MHz

耗散功率 500 mW 500 mW -

共模抑制比 - 85 dB -

耗散功率(Max) - 500 mW -

共模抑制比(Min) - 85 dB -

电源电压(Max) - 15 V -

电源电压(Min) - 1.8 V -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm 4 mm -

长度 5 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台