SI2308DS-T1-GE3

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SI2308DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI2308DS-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3Pin SOT-23 T/R

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