SI4920DY

SI4920DY图片1
SI4920DY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.00 W

连续漏极电流Ids 6.90 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI4920DY
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET

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