SI6466DQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6466DQ中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 15.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.40 W

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 7.80 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI6466DQ

型号： SI6466DQ

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号SI6466DQ