SI6466DQ和SI6466DQ-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI6466DQ SI6466DQ-T1-E3 STS5DNF20V

描述 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFETPower Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8STMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP TSSOP SOIC-8

引脚数 - - 8

漏源极电阻 15.0 mΩ 21.0 mΩ 30 mΩ

极性 N-Channel N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 1.40 W 1.50 W 2 W

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.80 A 7.80 A 5.00 A

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 5.00 A

额定功率 - - 1.6 W

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 2.7 V

漏源极电压(Vds) - - 20 V

上升时间 - - 33 ns

输入电容(Ciss) - - 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2 W

封装 TSSOP TSSOP SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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