






N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET
Description
This series of products utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved.
FEATURES
■ RDSON■ Conduction losses reduced
■ Switching losses reduced
■ Low threshold device
■ In compliance with the 2002/95/ec european directive
Application
■ Switching applications
额定电压DC 24.0 V
额定电流 60.0 A
极性 N-CH
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2050pF @16VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD90N02L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD6N95K5 意法半导体 | 类似代替 | STD90N02L和STD6N95K5的区别 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | STD90N02L和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 功能相似 | STD90N02L和STP60NF06的区别 |