SI3457BDV-T1

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SI3457BDV-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 100 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

连续漏极电流Ids -3.70 µA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI3457BDV-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET

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