N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 70W(Tc) DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 60.0 A
漏源极电阻 9.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD60NH03LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD60NF3LLT4 意法半导体 | 类似代替 | STD60NH03LT4和STD60NF3LLT4的区别 |