对比图
型号 STD60NF3LLT4 STD60NH03LT4 STD100NH03LT4
描述 DPAK N-CH 30V 60AN沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFETN沟道30V - 0.005ohm - 60A - DPAK封装的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 60.0 A 60.0 A 60.0 A
漏源极电阻 7.50 mΩ 9.00 mΩ 5.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W 70 W 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A 60.0 A
上升时间 130 ns 95 ns -
输入电容(Ciss) 2210pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 4100pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 70 W -
下降时间 36.5 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 100W (Tc) 70W (Tc) 100W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free