SI4953DY

SI4953DY图片1
SI4953DY中文资料参数规格
技术参数

额定电流 -4.90 A

漏源极电阻 53.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源击穿电压 -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI4953DY
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双P通道30 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 30-VD-S MOSFET

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