STB12NM60N-1

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STB12NM60N-1概述

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 600 V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK / N-Channel 600 V 10A Tc 90W Tc Through Hole I2PAK


STB12NM60N-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 90W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 960pF @50VVds

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB12NM60N-1
型号: STB12NM60N-1
描述:N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STB12NM60N-1

ST Microelectronics 意法半导体

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