对比图
型号 STB12NM60N STB12NM60N-1 AOTF11S60L
描述 N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETTO-220F N-CH 600V 11A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
耗散功率 90W (Tc) 90W (Tc) 38 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 9 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 960pF @50V(Vds) 960pF @50V(Vds) 545pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W - 38 W
下降时间 10 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 38W (Tc)
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 11A
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free