晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 30A I（ D） | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V VBRDSS | 30A ID | TO-252AA
表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Tc） 55W（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 2370pF @25VVds
耗散功率Max 55W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD30NE06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD30NE06L 意法半导体 | 完全替代 | STD30NE06LT4和STD30NE06L的区别 |