STN817A

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STN817A概述

PNP中功率晶体管 PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 1.5 A 50MHz 1.6 W 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT223


艾睿:
STMicroelectronics has the solution to your circuit&s;s high-voltage requirements with their PNP STN817A general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223


STN817A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1.6 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 2V

额定功率Max 1.6 W

直流电流增益hFE 140

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STN817A引脚图与封装图
STN817A引脚图
STN817A封装图
STN817A封装焊盘图
在线购买STN817A
型号: STN817A
描述:PNP中功率晶体管 PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR

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