SN75372P

SN75372P图片1
SN75372P图片2
SN75372P图片3
SN75372P图片4
SN75372P图片5
SN75372P图片6
SN75372P图片7
SN75372P图片8
SN75372P图片9
SN75372P图片10
SN75372P图片11
SN75372P图片12
SN75372P图片13
SN75372P概述

TEXAS INSTRUMENTS  SN75372P  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, DIP-8

是一款双NAND门接口电路, 旨在使用TTL输入来驱动功率MOSFET. 提供高电流与电压, 可高速驱动大电容性负载. 该器件采用5V VCC1和高达24V VCC2工作.

.
双电路能够高速驱动高电容负载
.
低待机功耗

欧时:
MOSFET Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP


立创商城:
低边 MOSFET 灌:500mA 拉:500mA


德州仪器TI:
10-mA/40-mA dual-Channal gate driver with enable pin


贸泽:
门驱动器 Dual MOSFET


艾睿:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin PDIP Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  SN75372P  Dual MOSFET Driver IC, Low Side, 4.75V-24V Supply, 500mA Out, 30ns Delay, DIP-8


力源芯城:
双外设与非驱动器带输出钳位二极管


Win Source:
IC DUAL MOSFET DRIVER 8-DIP


SN75372P中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.75V min

输出接口数 2

输出电压 23.2 V

输出电流 500 mA

针脚数 8

耗散功率 1000 mW

上升时间 30 ns

驱动器/包 2

输出电流Max 0.5 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 4.75V ~ 24V

电源电压Max 24 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 信号处理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SN75372P引脚图与封装图
SN75372P引脚图
SN75372P封装图
SN75372P封装焊盘图
在线购买SN75372P
型号: SN75372P
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  SN75372P  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, DIP-8
替代型号SN75372P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SN75372P

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

SN75372PE4

德州仪器

类似代替

SN75372P和SN75372PE4的区别

SN75372PG4

德州仪器

功能相似

SN75372P和SN75372PG4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台