SN75372P和SN75372PE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN75372P SN75372PE4 SN75372PG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  SN75372P  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, DIP-8MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments低边 MOSFET 灌:500mA 拉:500mA

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 -

封装 DIP-8 PDIP-8 PDIP-8

电源电压(DC) 4.75V (min) 4.75V (min) -

输出接口数 2 2 -

输出电压 23.2 V - -

输出电流 500 mA - -

针脚数 8 - -

耗散功率 1000 mW 1 W -

上升时间 30 ns 30 ns -

驱动器/包 2 2 -

输出电流(Max) 0.5 A - -

下降时间 30 ns 30 ns -

下降时间(Max) 30 ns 30 ns -

上升时间(Max) 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

电源电压 4.75V ~ 24V - -

电源电压(Max) 24 V 24 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

封装 DIP-8 PDIP-8 PDIP-8

长度 - 9.81 mm -

宽度 - 6.35 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

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