STP12IE90F4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP12IE90F4概述

发射极开关双极晶体管ESBT 900 V - 12A - 0.083欧姆 Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm

栅极驱动器 NPN - 发射极切换式双极 900V 12A 通孔 TO-220FP

得捷:
TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4

贸泽:
Gate Drivers Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12

STP12IE90F4中文资料参数规格

技术参数

额定电流 12 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

额定电压 900 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-4

外形尺寸

封装 TO-220-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用栅极驱动器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP12IE90F4

型号： STP12IE90F4

描述：发射极开关双极晶体管ESBT 900 V - 12A - 0.083欧姆 Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm