SSVPZT751T1G

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SSVPZT751T1G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT223 HC XSTR SP

- 双极 BJT - 单


得捷:
IC TRANS HC XSTR SOT223


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SSVPZT751T1G


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT223 HC XSTR SP


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SSVPZT751T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 75 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: SSVPZT751T1G
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT223 HC XSTR SP

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