SSVMUN5312DW1T2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SSVMUN5312DW1T2G概述

Trans Brt Dual 100mA 50V Sot363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA - 187mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88

立创商城:
SSVMUN5312DW1T2G

艾睿:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

Win Source:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

SSVMUN5312DW1T2G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 187 mW

耗散功率Max 187 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSVMUN5312DW1T2G

型号： SSVMUN5312DW1T2G

描述：Trans Brt Dual 100mA 50V Sot363