NXP SI2302DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV
表面贴装型 N 通道 20 V 2.5A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB
e络盟:
NXP SI2302DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
针脚数 3
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 650 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 830mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2302DS,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FDN327N 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI2302DS,215和FDN327N的区别 |
ZXMN2A01FTA 美台 | 功能相似 | SI2302DS,215和ZXMN2A01FTA的区别 |