FDN327N和SI2302DS,215

对比图

型号 FDN327N SI2302DS,215 AO3414

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN327N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mVNXP  SI2302DS,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV20V,3A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 500 mW 830 mW 1.4 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.50 A 3A

上升时间 6.5 ns - 3.2 ns

输入电容(Ciss) 423pF @10V(Vds) 230pF @10V(Vds) 436pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 830 mW 1.4 W

下降时间 2 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 830mW (Tc) 1.4W (Ta)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.04 Ω 0.056 Ω -

阈值电压 700 mV 650 mV -

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 2.00 A - -

输入电容 423 pF - -

栅电荷 4.50 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -