SI8230BB-D-IS1R

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SI8230BB-D-IS1R概述

MOSFET DRVR 0.5A 2Out High and Low Side Non-Inv 16Pin SOIC N T/R

500mA Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC


艾睿:
2.5 kV 8 V UVLO HS/LS Isolated Gate Driver


安富利:
MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC N T/R


SI8230BB-D-IS1R中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20ns Max

耗散功率 1200 mW

隔离电压 2500 Vrms

耗散功率Max 1200 mW

电源电压 9.4V ~ 24V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8230BB-D-IS1R
型号: SI8230BB-D-IS1R
描述:MOSFET DRVR 0.5A 2Out High and Low Side Non-Inv 16Pin SOIC N T/R
替代型号SI8230BB-D-IS1R
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