SI8230BB-B-IS1R和SI8230BB-D-IS1R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8230BB-B-IS1R SI8230BB-D-IS1R

描述 门驱动器MOSFET DRVR 0.5A 2Out High and Low Side Non-Inv 16Pin SOIC N T/R

数据手册 --

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

上升/下降时间 20ns (Max) 20ns (Max)

耗散功率 - 1200 mW

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms

耗散功率(Max) - 1200 mW

电源电压 6.5V ~ 24V 9.4V ~ 24V

输出接口数 2 -

通道数 2 -

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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