SI1011X-T1-GE3

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SI1011X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 190 mW

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 62pF @6VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 SC-89

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1011X-T1-GE3
型号: SI1011X-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 12V 0.48A 3Pin SC-89 T/R

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