SI1401EDH-T1-GE3概述
VISHAY SI1401EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -12 V, 0.072 ohm, -1.5 V, 400 mV
The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and battery switch applications.
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- 1500V ESD performance
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- Halogen-free
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI1401EDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.072 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 400 mV
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI1401EDH-T1-GE3
型号： SI1401EDH-T1-GE3
描述：VISHAY SI1401EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -12 V, 0.072 ohm, -1.5 V, 400 mV