SI8483DB-T2-E1概述
VISHAY SI8483DB-T2-E1 晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -400 mV
* TrenchFET® power MOSFET * Ultra-small 1.5 mm x 1 mm maximum outline * Ultra-thin 0.59 mm maximum height
欧时:
### P 通道 Gen III MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 8.7A 6-Pin Micro Foot T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 8.7A 6-Pin Micro Foot T/R
SI8483DB-T2-E1中文资料参数规格
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型号： SI8483DB-T2-E1
描述：VISHAY SI8483DB-T2-E1 晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -400 mV