SIS410DN-T1-GE3

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SIS410DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS410DN-T1-GE3
型号: SIS410DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SIS410DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V
替代型号SIS410DN-T1-GE3
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