SI4835DDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4835DDY-T1-GE3概述

VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI4835DDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -8.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4835DDY-T1-GE3

型号： SI4835DDY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V

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替代型号SI4835DDY-T1-GE3

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SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
FDS4435BZ 飞兆/仙童	功能相似	SI4835DDY-T1-GE3和FDS4435BZ的区别
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