对比图
型号 DMG4435SSS-13 SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-E3
描述 DMG4435SSS 系列 30 V 20 mOhm P 沟道 增强型 Mosfet - SOP-8VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 VVISHAY SI4835DDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.013 Ω 0.014 Ω 0.03 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.7 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A -8.70 A -13.0 A
上升时间 12.7 ns - -
正向电压(Max) 1 V - -
输入电容(Ciss) 1614pF @15V(Vds) - -
额定功率(Max) 1.3 W - -
下降时间 22.8 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 5.6 W -
额定功率 - - 5.6 W
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.55 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active - -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -