SI5403DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 6.3 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 1340pF @15VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 ChipFET-8
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 ChipFET-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
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替代型号SI5403DC-T1-GE3
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