对比图
型号 SI5403DC-T1-GE3 SI5435BDC-T1-GE3
描述 P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8VISHAY SI5435BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 5.9A, 1206
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 ChipFET-8 1206
封装(公制) - 3216
漏源极电阻 0.025 Ω 0.035 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 6.3 W 1.3 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A -5.90 A
上升时间 140 ns -
输入电容(Ciss) 1340pF @15V(Vds) -
下降时间 18 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2500 mW -
针脚数 - 8
长度 3.05 mm 3.2 mm
宽度 1.65 mm 1.6 mm
高度 1.1 mm -
封装 ChipFET-8 1206
封装(公制) - 3216
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -