SI7149ADP-T1-GE3

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SI7149ADP-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

* TrenchFET® Power MOSFET * Low On-Resistance for Low Voltage Drop * Extended VGS max. Rating: 25 V * 100 % Rg and UIS Tested


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 23.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


富昌:
Si7149ADP 系列 30 V 50 A 50 mOhm 表面贴装 P 沟道 Mosfet-PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 23.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


儒卓力:
**P-CH 30V 50A 5,2mOhm PPSO-8 **


SI7149ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 2.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI7149ADP-T1-GE3
型号: SI7149ADP-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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