对比图
型号 SI7149ADP-T1-GE3 SI7491DP-T1-GE3
描述 P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI7491DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P通道, -30V, 18A, SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 -
通道数 1 -
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.013 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 48 W 1.8 W
阈值电压 2.5 V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 48 W -
漏源极电压(Vds) - -30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 18.0 A
长度 5.99 mm -
宽度 5 mm -
高度 1.07 mm -
封装 SOIC-8 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -