SI7149ADP-T1-GE3和SI7491DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7149ADP-T1-GE3 SI7491DP-T1-GE3

描述 P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorVISHAY  SI7491DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -30V, 18A, SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 -

通道数 1 -

漏源极电阻 0.0042 Ω 0.013 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 48 W 1.8 W

阈值电压 2.5 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 48 W -

漏源极电压(Vds) - -30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 18.0 A

长度 5.99 mm -

宽度 5 mm -

高度 1.07 mm -

封装 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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