SI7119DN-T1-GE3概述
VISHAY SI7119DN-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK
The is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies applications.
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- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -50 to 150°C Operating temperature range
SI7119DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.86 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds -200 V
连续漏极电流Ids -3.80 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7119DN-T1-GE3
型号： SI7119DN-T1-GE3
描述：VISHAY SI7119DN-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK