VISHAY SI7386DP-T1-E3. 晶体管, N沟道
The is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
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- Reduced total dynamic gate charge Qg
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- Fast switching
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- PWM optimized for high efficiency
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- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
封装 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIR462DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7386DP-T1-E3和SIR462DP-T1-GE3的区别 |
SI7386DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7386DP-T1-E3和SI7386DP-T1-GE3的区别 |