对比图
型号 SI7386DP-T1-E3 SIR462DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7386DP-T1-E3. 晶体管, N沟道VISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VVISHAY SI7386DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 PowerPAK SO PowerPAK SO PowerPAK SO
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0058 Ω 0.0065 Ω 0.0058 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.8 W 41.7 W 1.8 W
阈值电压 2 V 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 30.0 A 19.0 A
上升时间 9 ns 15 ns -
输入电容(Ciss) - 1155pF @15V(Vds) -
下降时间 10 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 4.8 W -
长度 - 4.9 mm -
宽度 - 5.89 mm -
高度 - 1.04 mm -
封装 PowerPAK SO PowerPAK SO PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -