SI7106DN-T1-E3

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SI7106DN-T1-E3概述

VISHAY  SI7106DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 19.5A, POWERPAK

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
SI7106DN-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 12.5 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212


富昌:
单 N 沟道 20 V 6.2 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7106DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 19.5 A, 20 V, 9.8 mohm, 12 V, 1.5 V


SI7106DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0098 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 19.5 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7106DN-T1-E3
型号: SI7106DN-T1-E3
描述:VISHAY  SI7106DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 19.5A, POWERPAK

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