VISHAY SIA413DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V
The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and battery switch applications.
- .
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- .
- Small footprint area
- .
- Low ON-resistance
- .
- Halogen-free
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 6
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 19 W
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
输入电容Ciss 1800pF @10VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
引脚数 6
封装 SC-70
高度 0.75 mm
封装 SC-70
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLHS2242TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SIA413DJ-T1-GE3和IRLHS2242TRPBF的区别 |