对比图
型号 IRLHS2242TRPBF SIA413DJ-T1-GE3 IRLHS2242TR2PBF
描述 INFINEON IRLHS2242TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mVVISHAY SIA413DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 VP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 6 6 6
封装 PQFN-6 SC-70 PQFN-6
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.025 Ω 0.024 Ω 0.025 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.1 W 19 W 2.1 W
漏源极电压(Vds) 20 V -12.0 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 7.2A -12.0 A 7.2A
输入电容(Ciss) 877pF @10V(Vds) 1800pF @10V(Vds) 877pF @10V(Vds)
下降时间 66 ns 40 ns 66 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) 3500 mW 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
额定功率 2.1 W - 2.1 W
通道数 1 - 1
输入电容 877 pF - -
漏源击穿电压 20 V - 20 V
上升时间 54 ns - 54 ns
高度 0.9 mm 0.75 mm 0.95 mm
封装 PQFN-6 SC-70 PQFN-6
长度 2.1 mm - 2.1 mm
宽度 2 mm - 2.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17