SI4483ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4483ADY-T1-GE3概述

VISHAY SI4483ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI4483ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0127 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5.9 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4483ADY-T1-GE3

型号： SI4483ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4483ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 V

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