对比图
型号 SI4483ADY-T1-GE3 SI4483EDY-T1-GE3 IRF9321PBF
描述 VISHAY SI4483ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 VVISHAY SI4483EDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 14A, SOICINFINEON IRF9321PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -30 V, 5.9 mohm, -10 V, -1.8 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0127 Ω 14 mΩ 0.0059 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 5.9 W 1.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
阈值电压 - 3 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) - -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - -14.0 A 15A
额定功率 - - 1.5 W
输入电容(Ciss) - - 2590pF @25V(Vds)
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)
长度 4.9 mm - 4.98 mm
宽度 3.9 mm - 3.99 mm
高度 1.75 mm - 1.57 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)