SI3440DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3440DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.14 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3440DV-T1-GE3

型号： SI3440DV-T1-GE3

描述：VISHAY SI3440DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 1.5A, TSOP

替代型号SI3440DV-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI3440DV-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI3440DV-T1-E3 威世	功能相似	SI3440DV-T1-GE3和SI3440DV-T1-E3的区别

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