对比图
型号 SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-GE3
描述 VISHAY SI3440DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 150 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 VVISHAY SI3440DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 1.5A, TSOP
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP TSOP-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.31 Ω 0.4 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.14 W 1.14 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
上升时间 10 ns -
下降时间 15 ns -
长度 - 3.05 mm
宽度 - 1.65 mm
高度 - 1.1 mm
封装 TSOP TSOP-6
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -