VISHAY SI7465DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V
The is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
e络盟:
VISHAY SI7465DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
Si7465DP 系列 P-沟道 60 V 0.064 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7465DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5 A, -60 V, 0.051 ohm, -4.5 V, -3 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
上升时间 9 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI7465DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7465DP-T1-E3 威世 | 完全替代 | SI7465DP-T1-GE3和SI7465DP-T1-E3的区别 |