对比图
型号 SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7465DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.051 ohm, 20 V, -3 VVISHAY SI7465DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAKSO-8
安装方式 Surface Mount -
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.051 Ω 0.051 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) -60.0 V -60.0 V
连续漏极电流(Ids) -5.00 A -5.00 A
上升时间 9 ns 9 ns
下降时间 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW
长度 5.99 mm 6.15 mm
宽度 - 5.15 mm
高度 1.04 mm 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15