SI7308DN-T1-GE3

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SI7308DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.072 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7308DN-T1-GE3
型号: SI7308DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7308DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 6A, POWERPAK
替代型号SI7308DN-T1-GE3
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